Neue Flash-Chips: Intel und Micron speichern über 10 TB in 2,5"-SSD
Die Chiphersteller Intel und Micron haben neue Ergebnisse ihrer Kooperation bei der Entwicklung verbesserter Flash-Speicher vorgestellt: Die neue Generation ihrer 3D-NAND-Technologie soll es auf eine bisher unerreichte Speicherdichte bringen.
Den Unternehmen ist es nach eigenen Angaben gelungen, einzelne Schichten von Flash-Layern mit so hoher Präzision zu stapeln, dass Speichermodule eine drei Mal so hohe Kapazität erreichen können, wie jene, die derzeit am Markt verfügbar sind. "Diese 3D NAND Technologie hat das Potenzial, den Markt fundamental zu ändern. Bislang können wir bei Flash Speichern nur einen kleinen Teil dessen überblicken, was möglich ist", zeigte sich Brian Shirley, Chef der Speichersparte Microns, zuversichtlich.
Um die höhere Speicherdichte zu erreichen, entschieden sich die Partner, erstmals Floating-Gate-Zellen im 3D-NAND-Verfahren einzusetzen. Dabei können nun 32 Layer in einem Chip übereinander gestapelt und miteinander vernetzt werden. In Multi Level Cells (MLC) wird so eine Kapazität von 256 Gigabit erreicht, in Triple Level Cells sind es 384 Gigabit.
Wie hoch die Kapazität eines Speichers dadurch werden kann, verdeutlichen die Hersteller anhand eines Vergleiches: Ein Speicherriegel in der Größe eines Kaugummistreifens könnte es so auf rund 3,5 Gigabyte bringen. Die Technologie würde es aber auch ermöglichen, SSDs im Standardformat von 2,5 Zoll mit über 10 Terabyte zu bauen. Die Architektur erlaubt es dabei sogar, dass die einzelnen Speicherzellen etwas größer gehalten werden, wodurch die Lebensdauer gesteigert wird und die Chips sich auch für den harten Einsatz in Datenzentren eignen.
Das Produktionsverfahren ist weiterhin so gestaltet, dass der Preis pro Gigabyte mit den neuen Chips weiter nach unten geht. Die Technologie wurde außerdem mit neuen Sleep-Modi ausgestattet, mit denen es auch möglich ist, die Stromversorgung nicht aktiver Zellen zu unterbrechen, wenn andere Zellen im gleichen Package aktiv sind. Dadurch will man einen vergleichsweise geringen Energiebedarf erreichen.
Erste Muster der 256-Gigabit-MLC-Version werden aktuell in Kleinserien produziert und in Kürze ersten Kunden zur Verfügung gestellt. Die TLC-Variante mit 384 Gigabit soll im Frühjahr folgen. Wenn sich in den Produktionsabläufen keine Probleme zeigen, wollen Intel und Micron dann im vierten Quartal dieses Jahres mit der Massenfertigung der neuen Chips starten, so dass die Speicherelemente 2016 in den ersten Produkten am Markt zu finden sein werden.
Quelle:
Die Chiphersteller Intel und Micron haben neue Ergebnisse ihrer Kooperation bei der Entwicklung verbesserter Flash-Speicher vorgestellt: Die neue Generation ihrer 3D-NAND-Technologie soll es auf eine bisher unerreichte Speicherdichte bringen.
Den Unternehmen ist es nach eigenen Angaben gelungen, einzelne Schichten von Flash-Layern mit so hoher Präzision zu stapeln, dass Speichermodule eine drei Mal so hohe Kapazität erreichen können, wie jene, die derzeit am Markt verfügbar sind. "Diese 3D NAND Technologie hat das Potenzial, den Markt fundamental zu ändern. Bislang können wir bei Flash Speichern nur einen kleinen Teil dessen überblicken, was möglich ist", zeigte sich Brian Shirley, Chef der Speichersparte Microns, zuversichtlich.
Um die höhere Speicherdichte zu erreichen, entschieden sich die Partner, erstmals Floating-Gate-Zellen im 3D-NAND-Verfahren einzusetzen. Dabei können nun 32 Layer in einem Chip übereinander gestapelt und miteinander vernetzt werden. In Multi Level Cells (MLC) wird so eine Kapazität von 256 Gigabit erreicht, in Triple Level Cells sind es 384 Gigabit.
Wie hoch die Kapazität eines Speichers dadurch werden kann, verdeutlichen die Hersteller anhand eines Vergleiches: Ein Speicherriegel in der Größe eines Kaugummistreifens könnte es so auf rund 3,5 Gigabyte bringen. Die Technologie würde es aber auch ermöglichen, SSDs im Standardformat von 2,5 Zoll mit über 10 Terabyte zu bauen. Die Architektur erlaubt es dabei sogar, dass die einzelnen Speicherzellen etwas größer gehalten werden, wodurch die Lebensdauer gesteigert wird und die Chips sich auch für den harten Einsatz in Datenzentren eignen.
Das Produktionsverfahren ist weiterhin so gestaltet, dass der Preis pro Gigabyte mit den neuen Chips weiter nach unten geht. Die Technologie wurde außerdem mit neuen Sleep-Modi ausgestattet, mit denen es auch möglich ist, die Stromversorgung nicht aktiver Zellen zu unterbrechen, wenn andere Zellen im gleichen Package aktiv sind. Dadurch will man einen vergleichsweise geringen Energiebedarf erreichen.
Erste Muster der 256-Gigabit-MLC-Version werden aktuell in Kleinserien produziert und in Kürze ersten Kunden zur Verfügung gestellt. Die TLC-Variante mit 384 Gigabit soll im Frühjahr folgen. Wenn sich in den Produktionsabläufen keine Probleme zeigen, wollen Intel und Micron dann im vierten Quartal dieses Jahres mit der Massenfertigung der neuen Chips starten, so dass die Speicherelemente 2016 in den ersten Produkten am Markt zu finden sein werden.
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